В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
Diodes Incorporated
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Diodes Incorporated,
Series: -,
Part Status: Active,
FET Type: P-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V,
Vgs (Max): -6V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 218pF @ 10V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 1.4W,
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 1A, 4.5V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: U-WLB1010-4,
Package / Case: 4-UFBGA, WLBGA
Описание DMP2042UCB4-7
MOSFET P-CH 60V 4.6A U-WLB1010-4 - P-Channel 60V 4.6A (Ta) 1.4W Surface Mount U-WLB1010-4
Транзисторы полевые DMP2042UCB4-7
Наличие
Техническая спецификация
Diodes Incorporated |
Manufacturer: Diodes Incorporated, Series: -, Part Status: Active, FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V, Vgs (Max): -6V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 218pF @ 10V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 1.4W, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 1A, 4.5V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: U-WLB1010-4, Package / Case: 4-UFBGA, WLBGA |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров