В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Доставка 3-4 недели после оплаты
Техническая спецификация
Производитель
—
Toshiba Semiconductor and Storage
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Toshiba Semiconductor and Storage,
Series: U-MOSVI,
Packaging: Tape & Reel (TR),
Part Status: Active,
FET Type: P-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V,
Vgs (Max): +20V, -25V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890pF @ 10V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 1W (Ta),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 2.5A, 10V,
Operating Temperature: 150°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: 8-SOP,
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Описание TPC8134,LQ(S
MOSFET P-CH 40V 5A 8SOP - P-Channel 40V 5A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 8-SOP
Транзисторы полевые TPC8134,LQ(S
Наличие
Техническая спецификация
Toshiba Semiconductor and Storage |
Manufacturer: Toshiba Semiconductor and Storage, Series: U-MOSVI, Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Active, FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, Vgs (Max): +20V, -25V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890pF @ 10V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 2.5A, 10V, Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: 8-SOP, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров