В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
Toshiba Semiconductor and Storage
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Toshiba Semiconductor and Storage,
Series: U-MOSVII,
Part Status: Active,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 500µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 5V,
Vgs (Max): ±12V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860pF @ 10V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 30W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 10.5A, 4.5V,
Operating Temperature: 150°C,
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3),
Package / Case: 8-PowerVDFN
Описание TPCC8093,L1Q
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR - N-Channel 20V 21A (Ta) 1.9W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Транзисторы полевые TPCC8093,L1Q
Наличие
Техническая спецификация
Toshiba Semiconductor and Storage |
Manufacturer: Toshiba Semiconductor and Storage, Series: U-MOSVII, Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 500µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 5V, Vgs (Max): ±12V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860pF @ 10V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 30W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 10.5A, 4.5V, Operating Temperature: 150°C, Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3), Package / Case: 8-PowerVDFN |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров