В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
Nexperia USA Inc.
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Nexperia USA Inc.,
Series: Automotive, AEC-Q101,
Part Status: Active,
FET Type: P-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 4.5V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V,
Vgs (Max): +8V, -10V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 388pF @ 10V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 550mW (Ta),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 122 mOhm @ 3.2A, 4.5V,
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: 6-DFN2020MD (2x2),
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Описание PMPB100XPEAX
MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DFN2020MD - P-Channel 20V 3.2A (Ta) 550mW (Ta) Surface Mount 6-DFN2020MD (2x2)
Транзисторы полевые PMPB100XPEAX
Наличие
Техническая спецификация
Nexperia USA Inc. |
Manufacturer: Nexperia USA Inc., Series: Automotive, AEC-Q101, Part Status: Active, FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V, Vgs (Max): +8V, -10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 388pF @ 10V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 550mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 122 mOhm @ 3.2A, 4.5V, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: 6-DFN2020MD (2x2), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров