В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
Infineon Technologies
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Infineon Technologies,
Series: CoolMOS™ CE,
Packaging: Tube,
Part Status: Not For New Designs,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 500V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V,
Vgs (Max): ±20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 124pF @ 100V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 33W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 600mA, 13V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: PG-TO251,
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Описание IPU50R2K0CEAKMA1
MOSFET N-CH 500V 2.4A TO-251 - N-Channel 500V 2.4A (Tc) 33W (Tc) Surface Mount PG-TO251
Транзисторы полевые IPU50R2K0CEAKMA1
Наличие
Техническая спецификация
Infineon Technologies |
Manufacturer: Infineon Technologies, Series: CoolMOS™ CE, Packaging: Tube, Part Status: Not For New Designs, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 124pF @ 100V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 33W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 600mA, 13V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: PG-TO251, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров