В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Доставка 3-4 недели после оплаты
Техническая спецификация
Производитель
—
Diodes Incorporated
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Diodes Incorporated,
Series: -,
Part Status: Active,
FET Type: P-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47nC @ 8V,
Vgs (Max): ±8V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2475pF @ 6V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 5A, 4.5V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: U-DFN2020-6,
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Описание DMP1005UFDF-13
MOSFET P-CH 12V 26A UDFN2020-6 - P-Channel 12V 26A (Tc) 2.1W (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6
Транзисторы полевые DMP1005UFDF-13
Наличие
Техническая спецификация
Diodes Incorporated |
Manufacturer: Diodes Incorporated, Series: -, Part Status: Active, FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47nC @ 8V, Vgs (Max): ±8V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2475pF @ 6V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 5A, 4.5V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: U-DFN2020-6, Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров