В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
Diodes Incorporated
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Diodes Incorporated,
Series: -,
Part Status: Active,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V,
Vgs (Max): ±8V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 908pF @ 6V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 1.34W,
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 1A, 4.5V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: X3-DSN0808-4,
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Описание DMN1053UCP4-7
MOSFET N-CH 12V 2.7A X3-DSN0808 - N-Channel 12V 2.7A (Ta) 1.34W Surface Mount X3-DSN0808-4
Транзисторы полевые DMN1053UCP4-7
Наличие
Техническая спецификация
Diodes Incorporated |
Manufacturer: Diodes Incorporated, Series: -, Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 908pF @ 6V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 1.34W, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 1A, 4.5V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: X3-DSN0808-4, Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров