В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
ON Semiconductor
Техническая спецификация
—
Manufacturer: ON Semiconductor,
Series: -,
Packaging: Tape & Reel (TR),
Part Status: Last Time Buy,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: -,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V,
Vgs (Max): ±20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6.2pF @ 10V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 10V,
Operating Temperature: 150°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: 3-MCP,
Package / Case: SC-70, SOT-323
Описание 5HN01M-TL-H
MOSFET N-CH 50V 0.1A MCP3 - N-Channel 50V 100mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount 3-MCP
Транзисторы полевые 5HN01M-TL-H
Наличие
Техническая спецификация
ON Semiconductor |
Manufacturer: ON Semiconductor, Series: -, Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Last Time Buy, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 50V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: -, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6.2pF @ 10V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 150mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 10V, Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: 3-MCP, Package / Case: SC-70, SOT-323 |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров