В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Доставка 3-4 недели после оплаты
Техническая спецификация
Производитель
—
Nexperia USA Inc.
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Nexperia USA Inc.,
Series: -,
Packaging: Tape & Reel (TR),
Part Status: Active,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 10V,
Vgs (Max): ±20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130pF @ 40V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 6.25W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 1.1A, 10V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: DFN1010D-3,
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Описание PMXB360ENEAZ
MOSFET N-CH 80V 1.1A DFN1010D-3 - N-Channel 80V 1.1A (Ta) 400mW (Ta), 6.25W (Tc) Surface Mount DFN1010D-3
Транзисторы полевые PMXB360ENEAZ
Наличие
Техническая спецификация
Nexperia USA Inc. |
Manufacturer: Nexperia USA Inc., Series: -, Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 80V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 10V, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130pF @ 40V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 6.25W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 1.1A, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: DFN1010D-3, Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров