В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Доставка 3-4 недели после оплаты
Техническая спецификация
Производитель
—
Vishay Siliconix
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Vishay Siliconix,
Series: ThunderFET®,
Packaging: Tube,
Part Status: Active,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 200V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 10V,
Vgs (Max): ±20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950pF @ 100V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 230W (Tc),
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263),
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Описание SUM90220E-GE3
MOSFET N-CH 200V 64A D2PAK - N-Channel 200V 64A (Tc) 230W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
Транзисторы полевые SUM90220E-GE3
Наличие
Техническая спецификация
Vishay Siliconix |
Manufacturer: Vishay Siliconix, Series: ThunderFET®, Packaging: Tube, Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 10V, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950pF @ 100V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 230W (Tc), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: D²PAK (TO-263), Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров