Под заказ 3-4 недели
Покупка в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Доставка 3-4 недели после оплаты
Техническая спецификация
Производитель
—
STMicroelectronics
Техническая спецификация
—
Manufacturer: STMicroelectronics,
Series: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7,
Packaging: Digi-Reel®,
Part Status: Discontinued at Digi-Key,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 193nC @ 10V,
Vgs (Max): ±20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600pF @ 50V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 315W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1 mOhm @ 90A, 10V,
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: H2Pak-2,
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Описание STH275N8F7-2AG
MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-2 - N-Channel 80V 180A (Tc) 315W (Tc) Surface Mount H2Pak-2
Транзисторы полевые STH275N8F7-2AG
Наличие
Техническая спецификация
STMicroelectronics |
Manufacturer: STMicroelectronics, Series: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7, Packaging: Digi-Reel®, Part Status: Discontinued at Digi-Key, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 80V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 193nC @ 10V, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600pF @ 50V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 315W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1 mOhm @ 90A, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: H2Pak-2, Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров