В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
Texas Instruments
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Texas Instruments,
Series: NexFET™,
Packaging: Digi-Reel®,
Part Status: Active,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81nC @ 10V,
Vgs (Max): ±20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6620pF @ 30V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 300W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 mOhm @ 100A, 10V,
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: DDPAK/TO-263-3,
Package / Case: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Описание CSD18535KTT
MOSFET N-CH 60V 200A - N-Channel 60V 200A (Ta) 300W (Tc) Surface Mount DDPAK/TO-263-3
Транзисторы полевые CSD18535KTT
Наличие
Техническая спецификация
Texas Instruments |
Manufacturer: Texas Instruments, Series: NexFET™, Packaging: Digi-Reel®, Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81nC @ 10V, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6620pF @ 30V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 mOhm @ 100A, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: DDPAK/TO-263-3, Package / Case: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров