В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
STMicroelectronics
Техническая спецификация
—
Manufacturer: STMicroelectronics,
Series: STripFET™ F7,
Part Status: Active,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 120V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46nC @ 10V,
Vgs (Max): ±20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300pF @ 60V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 136W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 9A, 10V,
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6),
Package / Case: 8-PowerVDFN
Описание STL100N12F7
MOSFET N-CH 120V 100A POWERFLAT - N-Channel 120V 100A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (5x6)
Транзисторы полевые STL100N12F7
Наличие
Техническая спецификация
STMicroelectronics |
Manufacturer: STMicroelectronics, Series: STripFET™ F7, Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 120V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46nC @ 10V, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300pF @ 60V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 136W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 9A, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6), Package / Case: 8-PowerVDFN |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров