В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Доставка 3-4 недели после оплаты
Техническая спецификация
Производитель
—
STMicroelectronics
Техническая спецификация
—
Manufacturer: STMicroelectronics,
Series: SuperMESH™,
Packaging: Tube,
Part Status: Not For New Designs,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 600V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46nC @ 10V,
Vgs (Max): 30V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905pF @ 25V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 110W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 3A, 10V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Through Hole,
Supplier Device Package: I2PAK,
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Описание STB6NK60Z-1
MOSFET N-CH 600V 6A I2PAK - N-Channel 600V 6A (Tc) 110W (Tc) Through Hole I2PAK
Транзисторы полевые STB6NK60Z-1
Наличие
Техническая спецификация
STMicroelectronics |
Manufacturer: STMicroelectronics, Series: SuperMESH™, Packaging: Tube, Part Status: Not For New Designs, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46nC @ 10V, Vgs (Max): 30V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905pF @ 25V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 110W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 3A, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Supplier Device Package: I2PAK, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров