В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
Taiwan Semiconductor Corporation
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Taiwan Semiconductor Corporation,
Series: -,
Packaging: Bulk,
Part Status: Active,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 600V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1nC @ 10V,
Vgs (Max): ±30V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138pF @ 25V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 250mA, 10V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Through Hole,
Supplier Device Package: TO-92,
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Описание TSM1NB60SCT B0G
MOSFET N-CH 600V 500MA TO92 - N-Channel 600V 500mA (Tc) 2.5W (Tc) Through Hole TO-92
Транзисторы полевые TSM1NB60SCT B0G
Наличие
Техническая спецификация
Taiwan Semiconductor Corporation |
Manufacturer: Taiwan Semiconductor Corporation, Series: -, Packaging: Bulk, Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1nC @ 10V, Vgs (Max): ±30V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138pF @ 25V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 250mA, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Supplier Device Package: TO-92, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров