В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
Rohm Semiconductor
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Rohm Semiconductor,
Series: -,
Packaging: Digi-Reel®,
Part Status: Active,
FET Type: P-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 4.5V,
Vgs (Max): ±8V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800pF @ 10V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 20W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7 mOhm @ 15A, 4.5V,
Operating Temperature: 150°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3),
Package / Case: 8-PowerVDFN
Описание RQ3C150BCTB
MOSFET P-CHANNEL 20V 30A 8HSMT - P-Channel 20V 30A (Tc) 20W (Tc) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
Транзисторы полевые RQ3C150BCTB
Наличие
Техническая спецификация
Rohm Semiconductor |
Manufacturer: Rohm Semiconductor, Series: -, Packaging: Digi-Reel®, Part Status: Active, FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800pF @ 10V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 20W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7 mOhm @ 15A, 4.5V, Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3), Package / Case: 8-PowerVDFN |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров