В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Доставка 3-4 недели после оплаты
Техническая спецификация
Производитель
—
Rohm Semiconductor
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Rohm Semiconductor,
Series: -,
Packaging: Digi-Reel®,
Part Status: Active,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 10mA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 4.5V,
Vgs (Max): ±12V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410pF @ 15V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 4.5A, 11V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: TSMT8,
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Описание RQ7E110AJTCR
NCH 30V 11A MIDDLE POWER MOSFET - N-Channel 30V 11A (Tc) 1.5W (Tc) Surface Mount TSMT8
Транзисторы полевые RQ7E110AJTCR
Наличие
Техническая спецификация
Rohm Semiconductor |
Manufacturer: Rohm Semiconductor, Series: -, Packaging: Digi-Reel®, Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 10mA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410pF @ 15V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 4.5A, 11V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: TSMT8, Package / Case: 8-SMD, Flat Lead |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров