В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Доставка 3-4 недели после оплаты
Техническая спецификация
Производитель
—
ON Semiconductor
Техническая спецификация
—
Manufacturer: ON Semiconductor,
Series: -,
Packaging: Digi-Reel®,
Part Status: Active,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 4.5V,
Vgs (Max): ±20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770pF @ 15V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta), 21.5W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4 mOhm @ 30A, 10V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3),
Package / Case: 8-PowerWDFN
Описание NTTFS4C13NTAG
MOSFET N-CH 30V 38A U8FL - N-Channel 30V 7.2A (Ta) 780mW (Ta), 21.5W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
Транзисторы полевые NTTFS4C13NTAG
Наличие
Техническая спецификация
ON Semiconductor |
Manufacturer: ON Semiconductor, Series: -, Packaging: Digi-Reel®, Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 4.5V, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770pF @ 15V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 780mW (Ta), 21.5W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4 mOhm @ 30A, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3), Package / Case: 8-PowerWDFN |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров