В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
Vishay Siliconix
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Vishay Siliconix,
Series: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®,
Packaging: Cut Tape (CT),
Part Status: Active,
FET Type: P-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5nC @ 10V,
Vgs (Max): ±20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870pF @ 15V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 4W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43 mOhm @ 5.3A, 10V,
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: 6-TSOP,
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Описание SQ3481EV-T1_GE3
MOSFET P-CHANNEL 30V 7.5A 6TSOP - P-Channel 30V 7.5A (Tc) 4W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Транзисторы полевые SQ3481EV-T1_GE3
Наличие
Техническая спецификация
Vishay Siliconix |
Manufacturer: Vishay Siliconix, Series: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®, Packaging: Cut Tape (CT), Part Status: Active, FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5nC @ 10V, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870pF @ 15V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 4W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43 mOhm @ 5.3A, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: 6-TSOP, Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров