В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
Texas Instruments
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Texas Instruments,
Series: FemtoFET™,
Packaging: Digi-Reel®,
Part Status: Active,
FET Type: P-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.33nC @ 4.5V,
Vgs (Max): -20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385pF @ 10V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76 mOhm @ 400mA, 4.5V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: 3-LGA (0.73x0.64),
Package / Case: 3-XFLGA
Описание CSD25501F3T
20-V P-CHANNEL FEMTOFET MOSFET - P-Channel 20V 3.6A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount 3-LGA (0.73x0.64)
Транзисторы полевые CSD25501F3T
Наличие
Техническая спецификация
Texas Instruments |
Manufacturer: Texas Instruments, Series: FemtoFET™, Packaging: Digi-Reel®, Part Status: Active, FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.33nC @ 4.5V, Vgs (Max): -20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385pF @ 10V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76 mOhm @ 400mA, 4.5V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: 3-LGA (0.73x0.64), Package / Case: 3-XFLGA |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров