В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Доставка 3-4 недели после оплаты
Техническая спецификация
Производитель
—
ON Semiconductor
Техническая спецификация
—
Manufacturer: ON Semiconductor,
Series: -,
Packaging: Digi-Reel®,
Part Status: Active,
FET Type: P-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9nC @ 4.5V,
Vgs (Max): ±8V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1243pF @ 4V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47 mOhm @ 3.5A, 4.5V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB),
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Описание NTR3A052PZT1G
MOSFET P-CH 20V 3.6A SOT23 - P-Channel 20V 3.6A (Ta) 860mW (Ta) Surface Mount SOT-23 (TO-236AB)
Транзисторы полевые NTR3A052PZT1G
Наличие
Техническая спецификация
ON Semiconductor |
Manufacturer: ON Semiconductor, Series: -, Packaging: Digi-Reel®, Part Status: Active, FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9nC @ 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1243pF @ 4V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 860mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47 mOhm @ 3.5A, 4.5V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров