В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
Toshiba Semiconductor and Storage
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Toshiba Semiconductor and Storage,
Series: U-MOSVI,
Part Status: Active,
FET Type: P-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 10V,
Vgs (Max): +20V, -16V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 82pF @ 10V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9 Ohm @ 100mA, 4.5V,
Operating Temperature: 150°C,
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: S-Mini,
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Описание SSM3J168F,LF
MOSFET P-CH 60V 400MA S-MINI - P-Channel 60V 400mA (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount S-Mini
Транзисторы полевые SSM3J168F,LF
Наличие
Техническая спецификация
Toshiba Semiconductor and Storage |
Manufacturer: Toshiba Semiconductor and Storage, Series: U-MOSVI, Part Status: Active, FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 10V, Vgs (Max): +20V, -16V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 82pF @ 10V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9 Ohm @ 100mA, 4.5V, Operating Temperature: 150°C, Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: S-Mini, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров