В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
Diodes Incorporated
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Diodes Incorporated,
Series: -,
Packaging: Digi-Reel®,
Part Status: Active,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA,
Vgs (Max): ±20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 25V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 430mW (Ta),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 115mA, 10V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3,
Package / Case: 3-UFDFN
Описание DMN65D8LFB-7
MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN - N-Channel 60V 260mA (Ta) 430mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1006-3
Транзисторы полевые DMN65D8LFB-7
Наличие
Техническая спецификация
Diodes Incorporated |
Manufacturer: Diodes Incorporated, Series: -, Packaging: Digi-Reel®, Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 25V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 430mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 115mA, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: X1-DFN1006-3, Package / Case: 3-UFDFN |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров