В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Доставка 3-4 недели после оплаты
Техническая спецификация
Производитель
—
ON Semiconductor
Техническая спецификация
—
Manufacturer: ON Semiconductor,
Series: PowerTrench®,
Packaging: Digi-Reel®,
Part Status: Active,
FET Type: P-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V,
Vgs (Max): ±12V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 10V,
FET Feature: Schottky Diode (Isolated),
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tj),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95 mOhm @ 3.1A, 4.5V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2),
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Описание FDFMA2P029Z
MOSFET P-CH 20V 3.1A 2X2MLP - P-Channel 20V 3.1A (Ta) 1.4W (Tj) Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
Транзисторы полевые FDFMA2P029Z
Наличие
Техническая спецификация
ON Semiconductor |
Manufacturer: ON Semiconductor, Series: PowerTrench®, Packaging: Digi-Reel®, Part Status: Active, FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 10V, FET Feature: Schottky Diode (Isolated), Power Dissipation (Max): 1.4W (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95 mOhm @ 3.1A, 4.5V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2), Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров