В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
STMicroelectronics
Техническая спецификация
—
Manufacturer: STMicroelectronics,
Series: -,
Packaging: Tube,
Part Status: Active,
FET Type: N-Channel,
Technology: SiCFET (Silicon Carbide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122nC @ 20V,
Vgs (Max): +25V, -10V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 400V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 318W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69 mOhm @ 40A, 20V,
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ),
Mounting Type: Through Hole,
Supplier Device Package: HiP247™,
Package / Case: TO-247-3
Описание SCT50N120
MOSFET N-CH 1.2KV TO247-3 - N-Channel 1200V 65A (Tc) 318W (Tc) Through Hole HiP247™
Транзисторы полевые SCT50N120
Наличие
Техническая спецификация
STMicroelectronics |
Manufacturer: STMicroelectronics, Series: -, Packaging: Tube, Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: SiCFET (Silicon Carbide), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122nC @ 20V, Vgs (Max): +25V, -10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 400V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 318W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69 mOhm @ 40A, 20V, Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Supplier Device Package: HiP247™, Package / Case: TO-247-3 |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров