В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Доставка 3-4 недели после оплаты
Техническая спецификация
Производитель
—
Infineon Technologies
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Infineon Technologies,
Series: HEXFET®, StrongIRFET™,
Packaging: Digi-Reel®,
Part Status: Active,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 354nC @ 10V,
Vgs (Max): ±20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12960pF @ 25V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 375W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 mOhm @ 100A, 10V,
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead),
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Описание IRFS7530TRL7PP
MOSFET N CH 60V 240A D2PAK - N-Channel 60V 240A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead)
Транзисторы полевые IRFS7530TRL7PP
Наличие
Техническая спецификация
Infineon Technologies |
Manufacturer: Infineon Technologies, Series: HEXFET®, StrongIRFET™, Packaging: Digi-Reel®, Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 354nC @ 10V, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12960pF @ 25V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 mOhm @ 100A, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead), Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров