В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Доставка 3-4 недели после оплаты
Техническая спецификация
Производитель
—
Texas Instruments
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Texas Instruments,
Series: NexFET™,
Packaging: Digi-Reel®,
Part Status: Active,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62nC @ 10V,
Vgs (Max): ±20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810pF @ 50V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 195W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9 mOhm @ 17A, 10V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Supplier Device Package: 8-VSON (5x6),
Package / Case: 8-PowerTDFN
Описание CSD19532Q5BT
MOSFET N-CH 100V 100A VSON - N-Channel 100V 100A (Ta) 3.1W (Ta), 195W (Tc)8-VSON (5x6)
Транзисторы полевые CSD19532Q5BT
Наличие
Техническая спецификация
Texas Instruments |
Manufacturer: Texas Instruments, Series: NexFET™, Packaging: Digi-Reel®, Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62nC @ 10V, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810pF @ 50V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 195W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9 mOhm @ 17A, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Supplier Device Package: 8-VSON (5x6), Package / Case: 8-PowerTDFN |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров