В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
Cree/Wolfspeed
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Cree/Wolfspeed,
Series: C3M™,
Packaging: Tube,
Part Status: Active,
FET Type: N-Channel,
Technology: SiCFET (Silicon Carbide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 15V,
Vgs (Max): +19V, -8V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 600V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 113.5W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 20A, 15V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Supplier Device Package: TO-247-4L,
Package / Case: TO-247-4
Описание C3M0065100K
1000V, 65 MOHM, G3 SIC MOSFET - N-Channel 1000V 35A (Tc) 113.5W (Tc)TO-247-4L
Транзисторы полевые C3M0065100K
Наличие
Техническая спецификация
Cree/Wolfspeed |
Manufacturer: Cree/Wolfspeed, Series: C3M™, Packaging: Tube, Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: SiCFET (Silicon Carbide), Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 15V, Vgs (Max): +19V, -8V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 600V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 113.5W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 20A, 15V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Supplier Device Package: TO-247-4L, Package / Case: TO-247-4 |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров