В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Доставка 3-4 недели после оплаты
Техническая спецификация
Производитель
—
Cree/Wolfspeed
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Cree/Wolfspeed,
Series: C3M™,
Packaging: Bulk,
Part Status: Active,
FET Type: N-Channel,
Technology: SiCFET (Silicon Carbide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51nC @ 15V,
Vgs (Max): +19V, -8V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 1000V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 113.6W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 20A, 15V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: D2PAK-7,
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Описание C3M0075120J
MOSFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7 - N-Channel 1200V 30A (Tc) 113.6W (Tc) Surface Mount D2PAK-7
Транзисторы полевые C3M0075120J
Наличие
Техническая спецификация
Cree/Wolfspeed |
Manufacturer: Cree/Wolfspeed, Series: C3M™, Packaging: Bulk, Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: SiCFET (Silicon Carbide), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51nC @ 15V, Vgs (Max): +19V, -8V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 1000V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 113.6W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 20A, 15V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: D2PAK-7, Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров