В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
Cree/Wolfspeed
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Cree/Wolfspeed,
Series: C2M™,
Packaging: Bulk,
Part Status: Active,
FET Type: N-Channel,
Technology: SiCFET (Silicon Carbide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 500µA (Typ),
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 20V,
Vgs (Max): +25V, -10V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200pF @ 1000V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 78W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 2A, 20V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead),
Package / Case: TO-263-7 (Straight Leads)
Описание C2M1000170J
MOSFET N-CH 1700V 5.3A TO247 - N-Channel 1700V 5.3A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead)
Транзисторы полевые C2M1000170J
Наличие
Техническая спецификация
Cree/Wolfspeed |
Manufacturer: Cree/Wolfspeed, Series: C2M™, Packaging: Bulk, Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: SiCFET (Silicon Carbide), Drain to Source Voltage (Vdss): 1700V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 500µA (Typ), Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 20V, Vgs (Max): +25V, -10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200pF @ 1000V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 78W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 2A, 20V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead), Package / Case: TO-263-7 (Straight Leads) |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров