В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Доставка 3-4 недели после оплаты
Техническая спецификация
Производитель
—
Rohm Semiconductor
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Rohm Semiconductor,
Series: -,
Packaging: Tube,
Part Status: Active,
FET Type: N-Channel,
Technology: SiCFET (Silicon Carbide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 900µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 18V,
Vgs (Max): +22V, -6V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 184pF @ 800V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 35W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 1.1A, 18V,
Operating Temperature: 175°C (TJ),
Mounting Type: Through Hole,
Supplier Device Package: TO-3PFM,
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Описание SCT2H12NZGC11
MOSFET N-CH 1700V 3.7A - N-Channel 1700V 3.7A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-3PFM
Транзисторы полевые SCT2H12NZGC11
Наличие
Техническая спецификация
Rohm Semiconductor |
Manufacturer: Rohm Semiconductor, Series: -, Packaging: Tube, Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: SiCFET (Silicon Carbide), Drain to Source Voltage (Vdss): 1700V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 900µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 18V, Vgs (Max): +22V, -6V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 184pF @ 800V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 35W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 1.1A, 18V, Operating Temperature: 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Supplier Device Package: TO-3PFM, Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3 |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров