В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Доставка 3-4 недели после оплаты
Техническая спецификация
Производитель
—
ON Semiconductor
Техническая спецификация
—
Manufacturer: ON Semiconductor,
Series: UltraFET™,
Packaging: Digi-Reel®,
Part Status: Active,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 200V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 20A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V,
Vgs (Max): ±20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2315pF @ 100V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77 mOhm @ 3.7A, 10V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56,
Package / Case: 8-PowerWDFN
Описание FDMS2672
MOSFET N-CH 200V 3.7A POWER56 - N-Channel 200V 3.7A (Ta), 20A (Tc) 2.5W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount 8-MLP (5x6), Power56
Транзисторы полевые FDMS2672
Наличие
Техническая спецификация
ON Semiconductor |
Manufacturer: ON Semiconductor, Series: UltraFET™, Packaging: Digi-Reel®, Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 20A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2315pF @ 100V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77 mOhm @ 3.7A, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56, Package / Case: 8-PowerWDFN |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров