В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
ON Semiconductor
Техническая спецификация
—
Manufacturer: ON Semiconductor,
Series: PowerTrench®,
Packaging: Digi-Reel®,
Part Status: Active,
FET Type: P-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 15A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V,
Vgs (Max): ±25V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1335pF @ 50V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67 mOhm @ 4.4A, 10V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3),
Package / Case: 8-PowerWDFN
Описание FDMC86139P
MOSFET P-CH 100V 4.4A 8MLP - P-Channel 100V 4.4A (Ta), 15A (Tc) 2.3W (Ta), 40W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)
Транзисторы полевые FDMC86139P
Наличие
Техническая спецификация
ON Semiconductor |
Manufacturer: ON Semiconductor, Series: PowerTrench®, Packaging: Digi-Reel®, Part Status: Active, FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 15A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, Vgs (Max): ±25V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1335pF @ 50V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67 mOhm @ 4.4A, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3), Package / Case: 8-PowerWDFN |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров