В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Доставка 3-4 недели после оплаты
Техническая спецификация
Производитель
—
Infineon Technologies
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Infineon Technologies,
Series: OptiMOS™,
Packaging: Digi-Reel®,
Part Status: Active,
FET Type: P-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 40A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 105µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57.5nC @ 10V,
Vgs (Max): ±25V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4785pF @ 15V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6 mOhm @ 20A, 10V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8,
Package / Case: 8-PowerTDFN
Описание BSZ086P03NS3EGATMA1
MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8 - P-Channel 30V 13.5A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Транзисторы полевые BSZ086P03NS3EGATMA1
Наличие
Техническая спецификация
Infineon Technologies |
Manufacturer: Infineon Technologies, Series: OptiMOS™, Packaging: Digi-Reel®, Part Status: Active, FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 40A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 105µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57.5nC @ 10V, Vgs (Max): ±25V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4785pF @ 15V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6 mOhm @ 20A, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: PG-TSDSON-8, Package / Case: 8-PowerTDFN |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров