В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
ON Semiconductor
Техническая спецификация
—
Manufacturer: ON Semiconductor,
Series: -,
Packaging: Digi-Reel®,
Part Status: Active,
FET Type: P-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1nC @ 10V,
Vgs (Max): ±12V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430pF @ 15V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 290mW (Ta),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 1.2A, 10V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323),
Package / Case: SC-70, SOT-323
Описание NTS4173PT1G
MOSFET P-CH 30V 1.2A SC70-3 - P-Channel 30V 1.2A (Ta) 290mW (Ta) Surface Mount SC-70-3 (SOT323)
Транзисторы полевые NTS4173PT1G
Наличие
Техническая спецификация
ON Semiconductor |
Manufacturer: ON Semiconductor, Series: -, Packaging: Digi-Reel®, Part Status: Active, FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1nC @ 10V, Vgs (Max): ±12V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430pF @ 15V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 290mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 1.2A, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323), Package / Case: SC-70, SOT-323 |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров