В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Доставка 3-4 недели после оплаты
Техническая спецификация
Производитель
—
Infineon Technologies
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Infineon Technologies,
Series: -,
Packaging: Digi-Reel®,
Part Status: Active,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta), 14.4A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 25µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V,
Vgs (Max): ±20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 515pF @ 25V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 30W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62 mOhm @ 8.9A, 10V,
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: DIRECTFET SB,
Package / Case: DirectFET™ Isometric SB
Описание IRF7665S2TRPBF
MOSFET N-CH 100V DIRECTFET SB - N-Channel 100V 4.1A (Ta), 14.4A (Tc) 2.4W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount DIRECTFET SB
Транзисторы полевые IRF7665S2TRPBF
Наличие
Техническая спецификация
Infineon Technologies |
Manufacturer: Infineon Technologies, Series: -, Packaging: Digi-Reel®, Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta), 14.4A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 25µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 515pF @ 25V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 30W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62 mOhm @ 8.9A, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: DIRECTFET SB, Package / Case: DirectFET™ Isometric SB |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров