В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
ON Semiconductor
Техническая спецификация
—
Manufacturer: ON Semiconductor,
Series: FRFET®, SuperFET® II,
Packaging: Tube,
Part Status: Active,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 650V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43nC @ 10V,
Vgs (Max): ±20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680pF @ 100V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 33W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 5.1A, 10V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Through Hole,
Supplier Device Package: TO-220F,
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Описание FCPF380N65FL1
MOSFET N-CH 650V 10.2A TO220 - N-Channel 650V 10.2A (Tc) 33W (Tc) Through Hole TO-220F
Транзисторы полевые FCPF380N65FL1
Наличие
Техническая спецификация
ON Semiconductor |
Manufacturer: ON Semiconductor, Series: FRFET®, SuperFET® II, Packaging: Tube, Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 650V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43nC @ 10V, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680pF @ 100V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 33W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 5.1A, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Supplier Device Package: TO-220F, Package / Case: TO-220-3 Full Pack |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров