В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Доставка 3-4 недели после оплаты
Техническая спецификация
Производитель
—
Central Semiconductor Corp
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Central Semiconductor Corp,
Series: -,
Packaging: Digi-Reel®,
Part Status: Active,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 5V,
Vgs (Max): 20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920pF @ 30V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41 mOhm @ 5.3A, 10V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: SOT-89,
Package / Case: TO-243AA
Описание CXDM6053N TR
MOSFET N-CH 60V 5.3A SOT-89 - N-Channel 60V 5.3A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount SOT-89
Транзисторы полевые CXDM6053N TR
Наличие
Техническая спецификация
Central Semiconductor Corp |
Manufacturer: Central Semiconductor Corp, Series: -, Packaging: Digi-Reel®, Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 5V, Vgs (Max): 20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920pF @ 30V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41 mOhm @ 5.3A, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: SOT-89, Package / Case: TO-243AA |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров