Под заказ 3-4 недели
Покупка в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
Toshiba Semiconductor and Storage
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Toshiba Semiconductor and Storage,
Series: π-MOSVI,
Packaging: Digi-Reel®,
Part Status: Discontinued at Digi-Key,
FET Type: P-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA,
Vgs (Max): ±10V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11pF @ 3V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 10mA, 4V,
Operating Temperature: 150°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: CST3,
Package / Case: SC-101, SOT-883
Описание SSM3J16CT(TPL3)
MOSFET P-CH 20V 0.1A CST3 - P-Channel 20V 100mA (Ta) 100mW (Ta) Surface Mount CST3
Транзисторы полевые SSM3J16CT(TPL3)
Наличие
Техническая спецификация
Toshiba Semiconductor and Storage |
Manufacturer: Toshiba Semiconductor and Storage, Series: π-MOSVI, Packaging: Digi-Reel®, Part Status: Discontinued at Digi-Key, FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA, Vgs (Max): ±10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11pF @ 3V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 100mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 10mA, 4V, Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: CST3, Package / Case: SC-101, SOT-883 |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров