В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Доставка 3-4 недели после оплаты
Техническая спецификация
Производитель
—
IXYS-RF
Техническая спецификация
—
Manufacturer: IXYS-RF,
Series: SMPD,
Packaging: Tube,
Part Status: Active,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77nC @ 10V,
Vgs (Max): ±20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2875pF @ 800V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 940W,
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05 Ohm @ 6A, 15V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: 16-SMPD,
Package / Case: 16-BESOP (0.790", 20.11mm Width), 15 Leads, Exposed Pad
Описание IXRFSM12N100
2A 1000V MOSFET IN SMPD PACKAGE - N-Channel 1000V 12A (Tc) 940W Surface Mount 16-SMPD
Транзисторы полевые IXRFSM12N100
Наличие
Техническая спецификация
IXYS-RF |
Manufacturer: IXYS-RF, Series: SMPD, Packaging: Tube, Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77nC @ 10V, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2875pF @ 800V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 940W, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05 Ohm @ 6A, 15V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: 16-SMPD, Package / Case: 16-BESOP (0.790", 20.11mm Width), 15 Leads, Exposed Pad |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров