В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Доставка 3-4 недели после оплаты
Техническая спецификация
Производитель
—
Honeywell Microelectronics & Precision Sensors
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Honeywell Microelectronics & Precision Sensors,
Series: HTMOS™,
Packaging: Bulk,
Part Status: Active,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: -,
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3nC @ 5V,
Vgs (Max): 10V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 28V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 50W (Tj),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 100mA, 5V,
Operating Temperature: -55°C ~ 225°C (TJ),
Mounting Type: Through Hole,
Supplier Device Package: 4-Power Tab,
Package / Case: 4-SIP
Описание HTNFET-T
MOSFET N-CH 55V 4-PIN - N-Channel 55V50W (Tj) Through Hole 4-Power Tab
Транзисторы полевые HTNFET-T
Наличие
Техническая спецификация
Honeywell Microelectronics & Precision Sensors |
Manufacturer: Honeywell Microelectronics & Precision Sensors, Series: HTMOS™, Packaging: Bulk, Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 55V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: -, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3nC @ 5V, Vgs (Max): 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 28V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 50W (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 100mA, 5V, Operating Temperature: -55°C ~ 225°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Supplier Device Package: 4-Power Tab, Package / Case: 4-SIP |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров