В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Доставка 3-4 недели после оплаты
Техническая спецификация
Производитель
—
IXYS
Техническая спецификация
—
Manufacturer: IXYS,
Series: Linear L2™,
Packaging: Tube,
Part Status: Active,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 200V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 500nC @ 10V,
Vgs (Max): ±20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000pF @ 25V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 960W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 55A, 10V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Through Hole,
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK),
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Описание IXTK110N20L2
MOSFET N-CH 200V 110A TO-264 - N-Channel 200V 110A (Tc) 960W (Tc) Through Hole TO-264 (IXTK)
Транзисторы полевые IXTK110N20L2
Наличие
Техническая спецификация
IXYS |
Manufacturer: IXYS, Series: Linear L2™, Packaging: Tube, Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 500nC @ 10V, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000pF @ 25V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 960W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 55A, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Supplier Device Package: TO-264 (IXTK), Package / Case: TO-264-3, TO-264AA |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров