В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Доставка 3-4 недели после оплаты
Техническая спецификация
Производитель
—
Infineon Technologies
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Infineon Technologies,
Series: OptiMOS™,
Packaging: Tube,
Part Status: Active,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117nC @ 10V,
Vgs (Max): ±20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410pF @ 50V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 214W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 100A, 10V,
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ),
Mounting Type: Through Hole,
Supplier Device Package: PG-TO-220-3,
Package / Case: TO-220-3
Описание IPP045N10N3GXKSA1
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3 - N-Channel 100V 100A (Tc) 214W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3
Транзисторы полевые IPP045N10N3GXKSA1
Наличие
Техническая спецификация
Infineon Technologies |
Manufacturer: Infineon Technologies, Series: OptiMOS™, Packaging: Tube, Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117nC @ 10V, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410pF @ 50V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 214W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 100A, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Supplier Device Package: PG-TO-220-3, Package / Case: TO-220-3 |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров