В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Доставка 3-4 недели после оплаты
Техническая спецификация
Производитель
—
IXYS
Техническая спецификация
—
Manufacturer: IXYS,
Series: -,
Packaging: Tube,
Part Status: Active,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): -,
Vgs(th) (Max) @ Id: -,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6nC @ 5V,
Vgs (Max): ±20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 25V,
FET Feature: Depletion Mode,
Power Dissipation (Max): 60W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 Ohm @ 400mA, 0V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Through Hole,
Supplier Device Package: TO-220AB,
Package / Case: TO-220-3
Описание IXTP08N100D2
MOSFET N-CH 1000V 0.8A TO220AB - N-Channel 1000V 800mA (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
Транзисторы полевые IXTP08N100D2
Наличие
Техническая спецификация
IXYS |
Manufacturer: IXYS, Series: -, Packaging: Tube, Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): -, Vgs(th) (Max) @ Id: -, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6nC @ 5V, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 25V, FET Feature: Depletion Mode, Power Dissipation (Max): 60W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 Ohm @ 400mA, 0V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Supplier Device Package: TO-220AB, Package / Case: TO-220-3 |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров