В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
GeneSiC Semiconductor
Техническая спецификация
—
Manufacturer: GeneSiC Semiconductor,
Series: -,
Packaging: Tube,
Part Status: Active,
FET Type: -,
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor),
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): -,
Vgs(th) (Max) @ Id: -,
Vgs (Max): -,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400pF @ 800V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 535W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 100A,
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ),
Mounting Type: Chassis Mount,
Supplier Device Package: SOT-227,
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Описание GA100JT12-227
TRANS SJT 1200V 160A SOT227 - TRANS SJT 1200V 160A SOT227
Транзисторы полевые GA100JT12-227
Наличие
Техническая спецификация
GeneSiC Semiconductor |
Manufacturer: GeneSiC Semiconductor, Series: -, Packaging: Tube, Part Status: Active, FET Type: -, Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): -, Vgs(th) (Max) @ Id: -, Vgs (Max): -, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400pF @ 800V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 535W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 100A, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Chassis Mount, Supplier Device Package: SOT-227, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров