В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Доставка 3-4 недели после оплаты
Техническая спецификация
Производитель
—
Infineon Technologies
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Infineon Technologies,
Series: CoolMOS™ P6,
Packaging: Tube,
Part Status: Active,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 600V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µ,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V,
Vgs (Max): ±20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750pF @ 100V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 151W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 7.6A, 10V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Through Hole,
Supplier Device Package: PG-TO-220-3,
Package / Case: TO-220-3
Описание IPP60R190P6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220 - N-Channel 600V 20.2A (Tc) 151W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3
Транзисторы полевые IPP60R190P6XKSA1
Наличие
Техническая спецификация
Infineon Technologies |
Manufacturer: Infineon Technologies, Series: CoolMOS™ P6, Packaging: Tube, Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µ, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750pF @ 100V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 151W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 7.6A, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Supplier Device Package: PG-TO-220-3, Package / Case: TO-220-3 |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров