В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
Infineon Technologies
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Infineon Technologies,
Series: HEXFET®,
Packaging: Digi-Reel®,
Part Status: Obsolete,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 250V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165nC @ 10V,
Vgs (Max): ±30V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6714pF @ 25V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 4.3W (Ta), 125W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 21A, 10V,
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: DIRECTFET L8,
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Описание IRF7799L2TRPBF
MOSFET N-CH 250V DIRECTFET L8 - N-Channel 250V 375A (Tc) 4.3W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount DIRECTFET L8
Транзисторы полевые IRF7799L2TRPBF
Наличие
Техническая спецификация
Infineon Technologies |
Manufacturer: Infineon Technologies, Series: HEXFET®, Packaging: Digi-Reel®, Part Status: Obsolete, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 250V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165nC @ 10V, Vgs (Max): ±30V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6714pF @ 25V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 4.3W (Ta), 125W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 21A, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: DIRECTFET L8, Package / Case: DirectFET™ Isometric L8 |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров