Под заказ 3-4 недели
Покупка в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Доставка 3-4 недели после оплаты
Техническая спецификация
Производитель
—
Infineon Technologies
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Infineon Technologies,
Series: OptiMOS™,
Packaging: Digi-Reel®,
Part Status: Discontinued at Digi-Key,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 36µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46nC @ 10V,
Vgs (Max): ±20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700pF @ 20V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 20A, 10V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8,
Package / Case: 8-PowerVDFN
Описание BSZ042N04NS G
MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8 - N-Channel 40V 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Транзисторы полевые BSZ042N04NS G
Наличие
Техническая спецификация
Infineon Technologies |
Manufacturer: Infineon Technologies, Series: OptiMOS™, Packaging: Digi-Reel®, Part Status: Discontinued at Digi-Key, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 36µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46nC @ 10V, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700pF @ 20V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 20A, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: PG-TSDSON-8, Package / Case: 8-PowerVDFN |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров