В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Доставка 3-4 недели после оплаты
Техническая спецификация
Производитель
—
Infineon Technologies
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Infineon Technologies,
Series: HEXFET®,
Packaging: Digi-Reel®,
Part Status: Active,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 29A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 4.5V,
Vgs (Max): ±20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755pF @ 15V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4 mOhm @ 12A, 10V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: 8-PQFN (3x3),
Package / Case: 8-PowerVDFN
Описание IRFH3707TRPBF
MOSFET N-CH 30V 12A PQFN56 - N-Channel 30V 12A (Ta), 29A (Tc) 2.8W (Ta) Surface Mount 8-PQFN (3x3)
Транзисторы полевые IRFH3707TRPBF
Наличие
Техническая спецификация
Infineon Technologies |
Manufacturer: Infineon Technologies, Series: HEXFET®, Packaging: Digi-Reel®, Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 29A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 4.5V, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755pF @ 15V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4 mOhm @ 12A, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: 8-PQFN (3x3), Package / Case: 8-PowerVDFN |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров