В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Доставка 3-4 недели после оплаты
Техническая спецификация
Производитель
—
IXYS
Техническая спецификация
—
Manufacturer: IXYS,
Series: MegaMOS™,
Packaging: Tube,
Part Status: Obsolete,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 1100V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195nC @ 10V,
Vgs (Max): ±20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5650pF @ 25V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 360W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 920 mOhm @ 500mA, 10V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Through Hole,
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH),
Package / Case: TO-247-3
Описание IXTH13N110
MOSFET N-CH 1.1KV 13A TO-247AD - N-Channel 1100V 13A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Транзисторы полевые IXTH13N110
Наличие
Техническая спецификация
IXYS |
Manufacturer: IXYS, Series: MegaMOS™, Packaging: Tube, Part Status: Obsolete, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 1100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195nC @ 10V, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5650pF @ 25V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 360W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 920 mOhm @ 500mA, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Supplier Device Package: TO-247 (IXTH), Package / Case: TO-247-3 |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров